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  • 参数规格
产品说明
  • 极限真空度优于5Pa
  • 控温范围-142-400℃
  • 探针座分辨率3μm,单轴直线度±2μm
  • 高低温真空腔探针系统主要用于为被测芯片提供一个低温或者高温的变温测量环境,以便测量分析温度变化时芯片性能参数的变化。腔体内被测芯片在真空环境中有效避免易受氧化半导体器件接触空气所带来的测试结果误差
  • 因为晶圆在低温大气环境测试时,空气中的水汽会凝结在晶圆上,会导致漏电过大或者探针无法接触电极而使测试失败。避免这些需要把真空腔内的水汽在测试前用泵抽走,并且保持整个测试过程泵的运转
  • 当晶圆加热至300℃,400℃,500℃甚至更高温度时,氧化现象会越来越明显,并且温度越高氧化越严重。过度氧化会导致晶圆电性误差,物理和机械形变。避免这些需要把真空腔内的氧气在测试前用泵抽走,并且保持整个测试过程泵的运转。晶圆测试过程中温度在低温和高温中变换,因为热胀冷缩现象,定位好的探针与器件电极间会有相对位移,这时需要针座的重新定位,探针座位于腔体外部,可以在不破坏真空度的同时调整探针达到理想位置进行测量。我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置
通用参数
控温范围
-142-400℃,控温精准可达到±1℃,显示精度1℃,温度均匀性±3℃;
极限真空度
优于5Pa
基座气浮平台
平面度<0.1mm/㎡,振幅小于1.2um
探针座
分辨率3μm,单轴直线度±2μm
样品台
4英寸紫铜材质,平面度5微米
CPPS-ZK系列高低温真空探针台
  • 整体304不锈钢材质真空室,4英寸石英窗口;
  • 控温范围:-142-400℃(如果高温300°以上需要另配水冷系统),控温精准可达到±1℃,显示精度1℃,温度均匀性±3℃;
  • 极限真空度优于5Pa;
  • 基座气浮平台,平面度<0.1mm/㎡,振幅小于1.2um;
  • 探针座位移重复定位精度2μm,分辨率3μm,单轴直线度±2μm;
  • 同轴/三同轴探针夹具,漏电精度10pA/100fA,陶瓷结构;
  • 4英寸紫铜材质样品台,平面度5微米;
  • 4K高清CCD相机,软件内嵌至CCD,直接连接鼠标就可以完成测量,拍照,录像等功能;
  • 整体高集成,高稳定性,高漏电精度,高性价比!

产品型号 极限真空度 探针座 控温范围 对比 单价 发货日期 购物车
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CPPS-ZK 优于5Pa 分辨率3μm,单轴直线度±2μm -142-400℃
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