CPPS-ZK系列高低温真空探针台-创谱商城

产品说明

极限真空度优于5Pa
控温范围-142-400℃
探针座分辨率3μm，单轴直线度±2μm
高低温真空腔探针系统主要用于为被测芯片提供一个低温或者高温的变温测量环境，以便测量分析温度变化时芯片性能参数的变化。腔体内被测芯片在真空环境中有效避免易受氧化半导体器件接触空气所带来的测试结果误差
因为晶圆在低温大气环境测试时，空气中的水汽会凝结在晶圆上，会导致漏电过大或者探针无法接触电极而使测试失败。避免这些需要把真空腔内的水汽在测试前用泵抽走，并且保持整个测试过程泵的运转
当晶圆加热至300℃,400℃,500℃甚至更高温度时，氧化现象会越来越明显，并且温度越高氧化越严重。过度氧化会导致晶圆电性误差，物理和机械形变。避免这些需要把真空腔内的氧气在测试前用泵抽走，并且保持整个测试过程泵的运转。晶圆测试过程中温度在低温和高温中变换，因为热胀冷缩现象，定位好的探针与器件电极间会有相对位移，这时需要针座的重新定位，探针座位于腔体外部，可以在不破坏真空度的同时调整探针达到理想位置进行测量。我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置

通用参数

控温范围

-142-400℃，控温精准可达到±1℃，显示精度1℃，温度均匀性±3℃；

极限真空度

优于5Pa

基座气浮平台

平面度＜0.1mm/㎡，振幅小于1.2um

探针座

分辨率3μm，单轴直线度±2μm

样品台

4英寸紫铜材质，平面度5微米

CPPS-ZK系列高低温真空探针台

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